Številka izdelka proizvajalca:
STFI20NM65N
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STFI20NM65N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 15A I2PAKFP
Podroben opis:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Zaloga:
1500 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12877299
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STFI20NM65N Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ II
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
15A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
270mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1280 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-281 (I2PAKFP)
Paket / Primer
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Osnovna številka izdelka
STFI20N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-497-14556-5
497-14556-5
STFI20NM65N-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STI18N65M2
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
229
ŠTEVILKA DELA
STI18N65M2-DG
CENA ENOTE
1.05
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP32NM50N
MOSFET N CH 500V 22A TO-220
STWA57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A TO247
STP9NK65ZFP
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220FP
