Številka izdelka proizvajalca:
STFI6N65K3
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STFI6N65K3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
Podroben opis:
N-Channel 650 V 5.4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Zaloga:
500 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12879339
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STFI6N65K3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
SuperMESH3™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 50µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
880 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-281 (I2PAKFP)
Paket / Primer
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Osnovna številka izdelka
STFI6N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-13599-5
-497-13599-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STF6N65M2
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
300
ŠTEVILKA DELA
STF6N65M2-DG
CENA ENOTE
0.54
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STSJ50NH3LL
MOSFET N-CH 30V 50A 8SOIC
STP6N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220
STB20NK50ZT4
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
