STH110N7F6-2
Številka izdelka proizvajalca:

STH110N7F6-2

Product Overview

Proizvajalec:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Številka dela:

STH110N7F6-2-DG

Opis:

MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
Podroben opis:
N-Channel 68 V 80A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount H2PAK-2

Zaloga:

12948099
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

STH110N7F6-2 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
STripFET™ F6
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
68 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5850 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
176W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
H2PAK-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
STH110

Dodatne informacije

Standardni paket
1,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFIB8N50KPBF

MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3

onsemi

NTP011N15MC

MOSFET N-CH 150V 9.8/74.3A TO220

onsemi

FDBL9406-F085T6

MOSFET N-CH 40V 45A/240A 8HPSOF

onsemi

NVH4L040N65S3F

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4