Številka izdelka proizvajalca:
STH272N6F7-6AG
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STH272N6F7-6AG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Podroben opis:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Zaloga:
12873780
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STH272N6F7-6AG Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
STripFET™ F7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
180A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.5mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
11000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
333W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
H2PAK-6
Paket / Primer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Osnovna številka izdelka
STH272
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STW75NF30
MOSFET N-CH 300V 60A TO247-3
STP4NK60ZFP
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FP
STP10NK80ZFP
MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
