Številka izdelka proizvajalca:
STI11NM80
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STI11NM80-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Zaloga:
12873560
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STI11NM80 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
MDmesh™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
400mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
43.6 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1630 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150W (Tc)
Delovna temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I2PAK (TO-262)
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
STI11
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-13106-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BUK9214-30A,118
MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
STP5NK90Z
MOSFET N-CH 900V 4.5A TO220AB
STP15N65M5
MOSFET N CH 650V 11A TO220
