Številka izdelka proizvajalca:
STI12NM50N
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STI12NM50N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 100W (Tc) Through Hole I2PAK
Zaloga:
12873926
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STI12NM50N Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
MDmesh™ II
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
940 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
100W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I2PAK
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
STI12N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STWA35N65DM2
PTD HIGH VOLTAGE
STB30NF10T4
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
STP4NB80
MOSFET N-CH 800V 4A TO220AB
