STI23NM60ND
Številka izdelka proizvajalca:

STI23NM60ND

Product Overview

Proizvajalec:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Številka dela:

STI23NM60ND-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 19.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12872056
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

STI23NM60ND Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
FDmesh™ II
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
19.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
180mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2050 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I2PAK
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
STI23N

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
STx23NM60ND

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
stmicroelectronics

STB25NM60N

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

stmicroelectronics

STB100NF03L-03-1

MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK

stmicroelectronics

STU10NM65N

MOSFET N-CH 650V 9A IPAK

stmicroelectronics

STB80NF55L-08-1

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK