Številka izdelka proizvajalca:
STI24NM65N
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STI24NM65N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Zaloga:
12879474
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STI24NM65N Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
MDmesh™ II
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
19A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2500 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
160W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I2PAK
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
STI24N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPI65R190C6XKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
480
ŠTEVILKA DELA
IPI65R190C6XKSA1-DG
CENA ENOTE
1.52
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STW220NF75
MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
STD20NF06LAG
MOSFET N-CHANNEL 60V 24A DPAK
STB120N4F6
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
