Številka izdelka proizvajalca:
STI25NM60ND
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STI25NM60ND-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Zaloga:
12875132
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STI25NM60ND Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
FDmesh™ II
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
21A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2400 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
160W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I2PAK
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
STI25N
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STW57N65M5-4
MOSFET N-CH 650V 42A TO247-4L
STD50N03L
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
STFI10N62K3
MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
