STI30NM60N
Številka izdelka proizvajalca:

STI30NM60N

Product Overview

Proizvajalec:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Številka dela:

STI30NM60N-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Zaloga:

12877705
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

STI30NM60N Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
MDmesh™ II
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
25A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
130mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2700 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
190W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-262 (I2PAK)
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
STI30N

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
IPI60R125CPXKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
490
ŠTEVILKA DELA
IPI60R125CPXKSA1-DG
CENA ENOTE
3.00
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
stmicroelectronics

STI16N65M5

MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK

stmicroelectronics

STF18N60M2

N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ.,

stmicroelectronics

STF26N60DM6

MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP

stmicroelectronics

STF2HNK60Z

MOSFET N-CH 600V 2A TO220FP