Številka izdelka proizvajalca:
STI32N65M5
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STI32N65M5-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK
Zaloga:
995 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12875919
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STI32N65M5 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ V
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
24A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
119mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3320 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I2PAK
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
STI32N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-11331-5
-497-11331-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP34N65M5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
241
ŠTEVILKA DELA
STP34N65M5-DG
CENA ENOTE
2.82
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STH52N10LF3-2AG
MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
STU6N60DM2
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
STL15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
