Številka izdelka proizvajalca:
STL12N10F7
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STL12N10F7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 44A POWERFLAT
Podroben opis:
N-Channel 100 V 44A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Zaloga:
12879448
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STL12N10F7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
STripFET™ F7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
44A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
13.3mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1820 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
52W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
STL12
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-18214-6
497-18214-2
497-18214-1
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
TPH12008NH,L1Q
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
5000
ŠTEVILKA DELA
TPH12008NH,L1Q-DG
CENA ENOTE
0.35
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
DMT8012LFG-13
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
DMT8012LFG-13-DG
CENA ENOTE
0.32
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
STD8NM60N
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
STD13N50DM2AG
POWER TRANSISTORS
