Številka izdelka proizvajalca:
STL18N65M2
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STL18N65M2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
Podroben opis:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
Zaloga:
2970 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12878672
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STL18N65M2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
MDmesh™ M2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
365mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
764 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
57W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerFlat™ (5x6) HV
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
STL18
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-497-15477-1
-497-15477-2
497-15477-1
497-15477-2
-497-15477-6
497-15477-6
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STFI130N10F3
MOSFET N-CH 100V 46A I2PAKFP
STP13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
STF80N10F7
MOSFET N-CH 100V 40A TO220FP
