Številka izdelka proizvajalca:
STL18NM60N
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STL18NM60N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
Podroben opis:
N-Channel 600 V 2.1A (Ta), 12A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Zaloga:
2686 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12872789
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STL18NM60N Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Serije
MDmesh™ II
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.1A (Ta), 12A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
310mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1000 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3W (Ta), 110W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerFlat™ (8x8) HV
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
STL18
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-497-11847-6
-497-11847-2
497-11847-2
497-11847-1
497-11847-6
-497-11847-1
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STF20N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
STD13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STD3NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
