STL190N4F7AG
Številka izdelka proizvajalca:

STL190N4F7AG

Product Overview

Proizvajalec:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Številka dela:

STL190N4F7AG-DG

Opis:

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Podroben opis:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 127W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerFlat™ (5x6)

Zaloga:

854 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12945896
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

STL190N4F7AG Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
STripFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
127W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount, Wettable Flank
Paket naprav dobavitelja
PowerFlat™ (5x6)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
STL190

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
497-STL190N4F7AGDKR
497-16678-6
497-16678-1-DG
497-STL190N4F7AGCT
497-16678-1
497-16678-2-DG
497-16678-2
497-STL190N4F7AGTR
497-16678-6-DG
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
rohm-semi

R8001CND3FRATL

MOSFET N-CH 800V 1A TO252

rohm-semi

R8007AND3FRATL

MOSFET N-CH 800V 7A TO252

rohm-semi

R8002CND3FRATL

MOSFET N-CH 800V 2A TO252

rohm-semi

RRR030P03HZGTL

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3