Številka izdelka proizvajalca:
STP100N10F7
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP100N10F7-DG
Opis:
MOSFET N CH 100V 80A TO-220
Podroben opis:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
88 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12874567
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP100N10F7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4369 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP100
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-13550-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP16NS25
MOSFET N-CH 250V 16A TO220AB
STD4N62K3
MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
STP9N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220
