Številka izdelka proizvajalca:
STP150N10F7
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP150N10F7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 110A TO220
Podroben opis:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
494 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12879490
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP150N10F7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
110A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
8115 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
250W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP150
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-14570-5
STP150N10F7-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP5NB40
MOSFET N-CH 400V 4.7A TO220AB
STF8N90K5
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
STL80N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
