Številka izdelka proizvajalca:
STP18N60DM2
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP18N60DM2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Podroben opis:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
920 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12871430
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP18N60DM2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ DM2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
295mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
800 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
90W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP18
Dodatne informacije
Druga imena
497-16338-5-DG
497-16338-5
497-STP18N60DM2
-497-16338-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STW11NM80
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
STP60NF06L
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
STN1NK60ZL
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
