STP18N65M5
Številka izdelka proizvajalca:

STP18N65M5

Product Overview

Proizvajalec:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Številka dela:

STP18N65M5-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 15A TO220
Podroben opis:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

Zaloga:

896 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12874232
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

STP18N65M5 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ V
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
15A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
220mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1240 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
110W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP18

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
STx18N65M5

Dodatne informacije

Druga imena
-1138-STP18N65M5
497-STP18N65M5
-497-13109-5
497-13109-5
497-13109-5-DG
-760-STP18N65M5
-497-13109-5-DG
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
stmicroelectronics

STS6P3LLH6

MOSFET P-CH 30V 6A 8SO

stmicroelectronics

STD70N10F4

MOSFET N-CH 100V 60A DPAK

stmicroelectronics

STP26NM60N

MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB

stmicroelectronics

STD5NK40ZT4

MOSFET N-CH 400V 3A DPAK