Številka izdelka proizvajalca:
STP190N55LF3
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP190N55LF3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 55 V 120A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
1000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12877166
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP190N55LF3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
STripFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±18V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6200 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
312W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP190
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-497-8810-5
STP190N55LF3-DG
497-8810-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STB76NF75
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
STF11N65K3
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
STN3N45K3
MOSFET N-CH 450V 600MA SOT223