Številka izdelka proizvajalca:
STP24NM60N
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP24NM60N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Podroben opis:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
486 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12874391
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP24NM60N Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ II
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
17A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
190mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1400 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP24
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-11229-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP13N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STB6NK90ZT4
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
STD11N65M2
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK