STP28NM60ND
Številka izdelka proizvajalca:

STP28NM60ND

Product Overview

Proizvajalec:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Številka dela:

STP28NM60ND-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Podroben opis:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220

Zaloga:

133 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12876305
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

STP28NM60ND Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
FDmesh™ II
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
23A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
150mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
62.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2090 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
190W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP28

Dodatne informacije

Druga imena
-497-14196-5
497-14196-5
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
stmicroelectronics

STL3P6F6

MOSFET P-CH 60V 3A POWERFLAT

stmicroelectronics

STP11NM65N

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

stmicroelectronics

STB36N60M6

MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK

stmicroelectronics

STB24N60M2

MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK