Številka izdelka proizvajalca:
STP315N10F7
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP315N10F7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 180A TO220
Podroben opis:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
824 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12879893
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP315N10F7 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
180A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
12800 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
315W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP315
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-14717-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP25NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
STW48N60M6
MOSFET N-CH 600V 39A TO247
STFV3N150
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220-3
