STP33N60DM2
Številka izdelka proizvajalca:

STP33N60DM2

Product Overview

Proizvajalec:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Številka dela:

STP33N60DM2-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Podroben opis:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220

Zaloga:

3750 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12877112
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

STP33N60DM2 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ DM2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
24A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
130mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1870 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
190W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP33

Dodatne informacije

Druga imena
497-16352-5
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
stmicroelectronics

STL110N10F7

MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT

stmicroelectronics

STD5NK50Z-1

MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK

stmicroelectronics

STB60NF10-1

MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK

stmicroelectronics

STF6N80K5

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP