STP3N150
Številka izdelka proizvajalca:

STP3N150

Product Overview

Proizvajalec:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Številka dela:

STP3N150-DG

Opis:

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 1500 V 2.5A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12876588
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

STP3N150 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
PowerMESH™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
29.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
939 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
140W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP3N150

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
STx3N150

Dodatne informacije

Druga imena
497-6327-5
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
stmicroelectronics

STW19NM65N

MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3

stmicroelectronics

STH12N120K5-2

MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

stmicroelectronics

STULED656

MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

stmicroelectronics

STB20NM60D

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK