Številka izdelka proizvajalca:
STP3N80K5
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP3N80K5-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Podroben opis:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
841 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12879389
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP3N80K5 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
SuperMESH5™
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
130 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
60W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP3N80
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-497-14281-5
STP3N80K5-DG
497-14281-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRFBE30PBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
2597
ŠTEVILKA DELA
IRFBE30PBF-DG
CENA ENOTE
0.83
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IXTP4N80P
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXTP4N80P-DG
CENA ENOTE
1.10
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP15N80K5
MOSFET N-CH 800V 14A TO220
STP5NK60ZFP
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
STF17NF25
MOSFET N-CH 250V 17A TO220FP
