Številka izdelka proizvajalca:
STP3NB100
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP3NB100-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 3A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
12877206
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP3NB100 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
PowerMESH™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
700 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
100W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP3N
Dodatne informacije
Druga imena
497-2641-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IXTP2N100
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXTP2N100-DG
CENA ENOTE
3.24
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IXTP2N100P
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
136
ŠTEVILKA DELA
IXTP2N100P-DG
CENA ENOTE
1.49
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
STP5NK100Z
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
3779
ŠTEVILKA DELA
STP5NK100Z-DG
CENA ENOTE
1.69
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STI10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
STD4NK50Z-1
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
STFW12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A ISOWATT
