Številka izdelka proizvajalca:
STP4N80K5
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP4N80K5-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220
Podroben opis:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
202 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12873543
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
3J1K
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP4N80K5 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
SuperMESH5™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
175 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
60W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP4N80
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-497-14038-5
497-14038-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP1N105K3
MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220
STW21NM60N
MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
STD7NS20T4
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
