Številka izdelka proizvajalca:
STP75N3LLH6
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP75N3LLH6-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 75A TO220
Podroben opis:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
2002 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12881428
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP75N3LLH6 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
75A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.9mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2030 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
60W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP75N
Dodatne informacije
Druga imena
-497-11336-5
497-11336-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PHT6NQ10T,135
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
IRF630STRR
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IRFD9220PBF
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
