Številka izdelka proizvajalca:
STP7N60M2
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP7N60M2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 5A TO220
Podroben opis:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
2571 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12878838
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP7N60M2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ II Plus
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
950mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
271 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
60W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP7N60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
STP7N60M2-DG
497-13975-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STB22N60DM6
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
STL42P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
STL70N10F3
MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
