Številka izdelka proizvajalca:
STP8N120K5
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STP8N120K5-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
996 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12880964
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STP8N120K5 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ K5
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13.7 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
505 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
130W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
STP8N120
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
STP8N120K5-DG
497-18093
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STD11NM50N
MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
STF7N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
STW16NM50N
MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3