Številka izdelka proizvajalca:
STQ1HNK60R-AP
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STQ1HNK60R-AP-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Podroben opis:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Zaloga:
7445 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12878150
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STQ1HNK60R-AP Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Box (TB)
Serije
SuperMESH™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
400mA (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.7V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
156 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-92-3
Paket / Primer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Osnovna številka izdelka
STQ1HNK60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-15648-1
STQ1HNK60R-AP-DG
497-15648-3
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STL6P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
STL10N65M2
MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
STW13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A TO247
