Številka izdelka proizvajalca:
STS5DP3LLH6
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STS5DP3LLH6-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SO
Podroben opis:
Mosfet Array 30V 5A (Ta) 2.7W Surface Mount 8-SO
Zaloga:
12878959
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STS5DP3LLH6 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
DeepGATE™, STripFET™ H6
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 P-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5A (Ta)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
56mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
639pF @ 25V
Moč - največja
2.7W
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SO
Osnovna številka izdelka
STS5D
Dodatne informacije
Druga imena
2156-STS5DP3LLH6
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STS8C5H30L
MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
STS3DNE60L
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
STS10DN3LH5
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC