Številka izdelka proizvajalca:
STU6N65M2-S
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STU6N65M2-S-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Zaloga:
12876786
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STU6N65M2-S Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ M2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
226 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
60W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I-PAK
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
STU6N65
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STU6N65M2
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
543
ŠTEVILKA DELA
STU6N65M2-DG
CENA ENOTE
0.44
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP34NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
STL75N8LF6
MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT
STH240N75F3-6
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6