Številka izdelka proizvajalca:
STU7N60DM2
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STU7N60DM2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 6A IPAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Zaloga:
12872472
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STU7N60DM2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ DM2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.75V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
324 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
60W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I-PAK
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
STU7N60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP13N95K3
MOSFET N-CH 950V 10A TO220
STW16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
STL260N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT
