Številka izdelka proizvajalca:
STU7N65M6
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STU7N65M6-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Zaloga:
12876364
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STU7N65M6 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ M6
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
990mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.75V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
220 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
60W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I-PAK
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
STU7N65
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STLD200N4F6AG
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
STW48NM60N
MOSFET N-CH 600V 44A TO247
STP11N65M5
MOSFET N-CH 650V 9A TO220