Številka izdelka proizvajalca:
STW10NK80Z
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STW10NK80Z-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Zaloga:
39 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12872572
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STW10NK80Z Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
SuperMESH™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
900mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2180 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
160W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247-3
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
STW10
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-3254-5
497-3254-5-NDR
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP170N8F7
MOSFET N-CH 80V 120A TO220
STFI16N65M2
MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP
STL26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HV
