Številka izdelka proizvajalca:
STW11NK100Z
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STW11NK100Z-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 8.3A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-247-3
Zaloga:
12878960
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STW11NK100Z Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
SuperMESH™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.38Ohm @ 4.15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
162 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3500 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
230W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247-3
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
STW11
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-3255-5
497-3255-5-NDR
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRFPG50PBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
127
ŠTEVILKA DELA
IRFPG50PBF-DG
CENA ENOTE
2.56
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP20N20
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
STB80NF10T4
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
STFU10NK60Z
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP