Številka izdelka proizvajalca:
STW19NM50N
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STW19NM50N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 500 V 14A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247-3
Zaloga:
337 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12875857
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STW19NM50N Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ II
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
14A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
250mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1000 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
110W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247-3
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
STW19
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-10653-5
STW19NM50N-DG
497-STW19NM50N
-1138-STW19NM50N
497-10653-5-DG
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP18N55M5
MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB
STFI13N95K3
MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP
STP11NK50Z
MOSFET N-CH 500V 10A TO220AB
