Številka izdelka proizvajalca:
STW25N60M2-EP
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STW25N60M2-EP-DG
Opis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
Podroben opis:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Zaloga:
600 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12876069
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STW25N60M2-EP Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ M2-EP
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
18A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
188mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.75V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1090 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247-3
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
STW25
Dodatne informacije
Druga imena
STW25N60M2-EP-DG
497-STW25N60M2-EP
Standardni paket
600
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STB5NK52ZD-1
MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
STFW6N120K3
MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT
STP60NE06L-16
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
