Številka izdelka proizvajalca:
STW28N60M2
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STW28N60M2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Podroben opis:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3
Zaloga:
96 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12877138
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STW28N60M2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ II Plus
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
24A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
150mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1370 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
170W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247-3
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
STW28
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-497-14292-5
STW28N60M2-DG
497-14292-5
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STI8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK
SCTH50N120-7
SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
STF5N65M6
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
