Številka izdelka proizvajalca:
STW50N65DM6
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STW50N65DM6-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Zaloga:
12972876
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STW50N65DM6 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ DM6
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
33A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
91mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.75V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
52.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
52500 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
250W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247 Long Leads
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
STW50
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-STW50N65DM6
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PJC7407_R1_00001
SOT-323, MOSFET
PJA3405_R1_00001
SOT-23, MOSFET
PJD40N04_L2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
