Številka izdelka proizvajalca:
STW6N90K5
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STW6N90K5-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 6A TO247
Podroben opis:
N-Channel 900 V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247
Zaloga:
468 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12876856
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STW6N90K5 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ K5
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 100µA
Vgs (maks)
±30V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
110W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
STW6N90
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-17077
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STT4PF20V
MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6
STI18N65M2
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
STD1HNC60T4
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
