TSM7ND60CI
Številka izdelka proizvajalca:

TSM7ND60CI

Product Overview

Proizvajalec:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Številka dela:

TSM7ND60CI-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 7A ITO220
Podroben opis:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220

Zaloga:

3962 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12898013
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

TSM7ND60CI Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Taiwan Semiconductor
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.8V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1108 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
50W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
ITO-220
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Osnovna številka izdelka
TSM7

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
1801-TSM7ND60CI
TSM7ND60CI RLG
TSM7ND60CI-DG
TSM7ND60CI C0G
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
taiwan-semiconductor

TSM060N03CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252

taiwan-semiconductor

TSM1NB60SCT A3G

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

diodes

DMPH4029LFGQ-13

MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333

diodes

DMN24H3D5L-7

MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23