Številka izdelka proizvajalca:
TSM7ND65CI
Product Overview
Proizvajalec:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Številka dela:
TSM7ND65CI-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 7A ITO220
Podroben opis:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220
Zaloga:
3 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12900020
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TSM7ND65CI Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Taiwan Semiconductor
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.35Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.8V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1124 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
50W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
ITO-220
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Osnovna številka izdelka
TSM7
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TSM7ND65CI RLG
TSM7ND65CI-DG
TSM7ND65CI C0G
1801-TSM7ND65CI
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TSM120N06LCR RLG
MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
TSM70N10CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252
DMN2230UQ-7
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
