Številka izdelka proizvajalca:
CSD16415Q5T
Product Overview
Proizvajalec:
Texas Instruments
DiGi Electronics Številka dela:
CSD16415Q5T-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Podroben opis:
N-Channel 25 V 100A (Ta) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Zaloga:
263 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12815546
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
CSD16415Q5T Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
NexFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
25 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.15mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.9V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
+16V, -12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4100 pF @ 12.5 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.2W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-VSON-CLIP (5x6)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
CSD16415
Tehnični list in dokumenti
Stran izdelka proizvajalca
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
296-49598-2
296-49598-1
CSD16415Q5T-DG
296-49598-6
Standardni paket
250
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
EPC2035
GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
SPD03N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
SI3134KL3-TP
MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006-3
