CSD17303Q5
Številka izdelka proizvajalca:

CSD17303Q5

Product Overview

Proizvajalec:

Texas Instruments

DiGi Electronics Številka dela:

CSD17303Q5-DG

Opis:

CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
Podroben opis:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)

Zaloga:

1490 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12946941
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

CSD17303Q5 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Bulk
Serije
NexFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
32A (Ta), 100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
3V, 8V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
vgs(th) (maks) @ id
1.6V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
+10V, -8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3420 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.2W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-VSON-CLIP (5x6)
Paket / Primer
8-PowerTDFN

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
CSD17303Q5 Datasheet

Dodatne informacije

Druga imena
TEXTISCSD17303Q5
2156-CSD17303Q5
Standardni paket
301

Okoljska in izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
fairchild-semiconductor

FDB035AN06A0

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDMA530PZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

international-rectifier

IRF1010ZPBF

IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDD8882

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3