CSD17308Q3
Številka izdelka proizvajalca:

CSD17308Q3

Product Overview

Proizvajalec:

Texas Instruments

DiGi Electronics Številka dela:

CSD17308Q3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Podroben opis:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 44A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Zaloga:

36157 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12818407
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
ODCE
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

CSD17308Q3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
NexFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
14A (Ta), 44A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
3V, 8V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10.3mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (maks) @ id
1.8V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
+10V, -8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
700 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.7W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
CSD17308

Tehnični list in dokumenti

Stran izdelka proizvajalca
Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
296-27210-2
296-27210-1
-296-27210-1-DG
296-27210-6
2156-CSD17308Q3
-CSD17308Q3-NDR
TEXTISCSD17308Q3
Standardni paket
2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
infineon-technologies

IRFB4215

MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB

microchip-technology

LND150N3-G-P014

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

microchip-technology

VP2110K1-G

MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB

infineon-technologies

IRFR7546PBF

MOSFET N-CH 60V 56A DPAK