Številka izdelka proizvajalca:
CSD17313Q2
Product Overview
Proizvajalec:
Texas Instruments
DiGi Electronics Številka dela:
CSD17313Q2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Podroben opis:
N-Channel 30 V 5A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount 6-WSON (2x2)
Zaloga:
3115 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12788615
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
CSD17313Q2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
NexFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
3V, 8V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
30mOhm @ 4A, 8V
vgs(th) (maks) @ id
1.8V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.7 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
+10V, -8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
340 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.3W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
6-WSON (2x2)
Paket / Primer
6-WDFN Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
CSD17313
Tehnični list in dokumenti
Stran izdelka proizvajalca
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
296-27233-2
-296-27233-1-DG
-CSD17313Q2-NDR
296-27233-1
296-27233-6
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
CSD13302W
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
CSD18543Q3A
MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
CSD22204WT
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
