CSD17573Q5BT
Številka izdelka proizvajalca:

CSD17573Q5BT

Product Overview

Proizvajalec:

Texas Instruments

DiGi Electronics Številka dela:

CSD17573Q5BT-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Podroben opis:
N-Channel 30 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)

Zaloga:

3742 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12817963
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

CSD17573Q5BT Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Texas Instruments
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
NexFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.8V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
64 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9000 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.2W (Ta), 195W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-VSON-CLIP (5x6)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
CSD17573Q5

Tehnični list in dokumenti

Stran izdelka proizvajalca
Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
296-47320-6
CSD17573Q5BT-DG
296-47320-1
296-47320-2
Standardni paket
250

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
infineon-technologies

IRF7241TR

MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO

infineon-technologies

IPP65R150CFDXKSA1

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3

epc

EPC2030ENGRT

GANFET NCH 40V 31A DIE

rohm-semi

R5011FNX

MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM